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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心介電常數(shù)測(cè)試儀AB-高頻介電常數(shù)測(cè)試儀

  • GCSTD-A/B裝置瓷高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    裝置瓷高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件:變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件:印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估

    更新時(shí)間:2025-01-02
    產(chǎn)品型號(hào):GCSTD-A/B
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  • GCSTD-AB工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GB/T 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

    更新時(shí)間:2025-01-02
    產(chǎn)品型號(hào):GCSTD-AB
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  • GCSTD-AB介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀

    介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件:變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件:印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

    更新時(shí)間:2025-01-02
    產(chǎn)品型號(hào):GCSTD-AB
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  • GCSTD-AB高頻介電損耗測(cè)試儀

    高頻介電損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件:變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件:印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

    更新時(shí)間:2025-01-02
    產(chǎn)品型號(hào):GCSTD-AB
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  • GCSTD-A/B高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。 半導(dǎo)體元件:變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析 其它元件:印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估

    更新時(shí)間:2025-01-02
    產(chǎn)品型號(hào):GCSTD-A/B
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